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IR推出新款PQFN封装功率MOSFET_华泰科技

作者:Aileen 发布时间:2019-08-24 01:31:21 点击数:153

  国际整流器公司 (InternaTIonal RecTIfier,简称IR) 扩展其封装系列,推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封装。新的封装采用IR广东快乐十分-广东快乐十分开奖结果_广东快乐十分投注平台最新的HEXFET MOSFET硅技术,为一系列的低功耗应用,包括智能手机、平板电脑、摄像机、数码相机、笔记本电脑、服务器和网络通讯设备,提供超小型、高密度和高效率的解决方案。

广东快乐十分-广东快乐十分开奖结果_广东快乐十分投注平台  新款的PQFN2x2器件提供20V、25 V和30 V的选择,,并带有标准或逻辑水平栅极驱动器。这些器件只需要4mm2的占位空间,采用IR最新的低电压 N-通道和P-通道硅技术,从而达到极低的导通电阻 (RDS(on)) ,以及等同PQFN3.3x3.3或PQFN5x6封装的高功率密度。

  IR 亚太区销售副总裁潘大伟表示:“IR的新型PQFN2x2器件进一步扩展IR广阔的功率 MOSFET系列,也可以满足我们客户的需求,进一步缩小封装尺寸,并结合基准硅技术。这些新器件拥有超小尺寸和高密度,非常适合于高度数字化内容相关的应用。”

广东快乐十分-广东快乐十分开奖结果_广东快乐十分投注平台  这个PQFN2x2系列包括为负载开关的高侧而优化的P-通道器件,,带来一个更简单的驱动解决方案。同时,新器件的厚度少于1 mm,使它们与现有的表面贴装技术兼容,并且拥有行业标准的占位空间,还符合电子产品有害物质限制指令 (RoHS) 。

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